英铂携MPI助苏州XX公司搭建半自动晶圆载片静态参数测试系统返回列表
MPI TS2000-HP探针台
产品介绍：
MPI的TS2000-HP半自动化探针台测试系统可提供8英寸及以下晶圆器件的高功率测量，先进的ShielDEnvironment™可提供低噪声和屏蔽的测试环境。
产品优势：
• 适合至高 10kV / 600A (脉冲)的晶圆级高功率组件量测
• 提供载片下的高功率动、静态参数的测试
• 晶圆载物台表面镀金，接触电阻面积小;真空吸孔优化，适合装载至薄 50 µm 的薄晶圆
• 可选配搭载 Taiko 晶圆载物台
• 提供抗电弧解决方案
• MPI ShielDEnvironment™ 屏蔽环境
• 专为 EMI / RFI / Light-Tight 屏蔽所设计的精密量测环境
• 支援飞安级低漏电值量测
• 温度量测范围 -60 °C to 300 °C
产品应用：
可用于多种晶圆量测应用，晶圆级可靠性测试、高功率动&静态测试以及RF和mmW等多种应用。
Keysight B1505A功率分析仪
产品介绍：
B1505A 可以应对当今尖端功率器件带来的测量挑战，能够精确测量和表征亚皮安至高达10 kV 和1500 安的综合解决方案: 支持3000 V 直流偏置条件下的栅极电荷与电容测量，以及-50°C 至+250°C 的温度测试。
产品优势：
1、宽工作范围与精密测量的组合
•适合功率器件表征的综合解决方案，高达1500A/10kV
• 高电压偏置条件下的中电流测量(例如，1200V时的500mA测量)
• μΩ电阻测量能力
• 高电压偏置时精确的亚皮安级电流测量
• -50°C至+250°C范围安全、精确且快速的全自动温度测试
2、广泛的器件测量功能
• 高达3000V直流偏置条件下的全自动电容测量(Ciss、Coss、Crss等)
• 低至10us的大功率脉冲测量
• 封装器件和晶圆上IGBT/FET栅极电荷测量
• 高电压/大电流快速切换选件，适用于GaN电流崩塌效应表征
• 多达5个高电压(3kV)源/测量通道，可以最大限度地保证灵活性
• 借助支持互锁的测试夹具保证温度相关测试的安全性
3、改进的测量效率
• 无需重新布线即可切换高电压和大电流测量
• 自动测试封装和晶圆上器件晶体管连接电容(Ciss、Coss、Crss、Cgs、Cgd、Cds等)电路构造
• 支持互锁的标准测试夹具可以确保封装功率器件测试的安全性
• 支持高达200A和10kV的大功率晶圆上安全测试
• 示波器视图支持对应用电压和电流波形的验证
• MS Windows EasyEXPERT软件可以简化数据管理和数据分析流程
4、可升级和可扩展的硬件体系结构
• 丰富的测量模块选择
• 支持具有多达6引脚的大功率器件
产品应用：
B1505A 支持N1259A 和N1265A 两个不同电压和电流范围的标准化测试解决方案。两款解决方案都可以兼容不同类型的插座。B1505A 还支持功率器件晶圆上测试，无需器件封装，可以显著缩减实验室测试的周转时间(TAT)。
