The solution/解决方案
Pre-RF Pulsed IV测量彻底改变晶体管紧凑建模
近期于 IEEE MTT-S 2024 上，MPI 与 Maury Microwave 共同展示了通过预射频脉冲 IV 测量来彻底变革晶体管紧凑建模。
这是 AMCAD Engineering 和 Maury Microwave 在 MPI 的 TS200 探针台上所进行的演示，即使用 Nano5G 调谐器与 AMCAD 的脉冲 IV 系统 AM3200 集成的晶圆测量。所有设备都将借助 #IVCAD 软件进行控制，以此来优化产品性能与用户的体验。
以预射频脉冲 IV 测量彻底革新晶体管建模：
此项尖端技术把可变前射频脉冲与脉冲 IV 测量加以结合，由 AMCAD 的高功率 Pulsed-IV 脉冲发生器以及 Maury Microwave 的毫米波 #Nano5G 调谐器提供动力支持。该方法能够精确控制输入和输出阻抗，实现电荷捕获状态的动态演变，并且在大信号操作期间更为准确地描述晶体管的行为。
这项创新的主要优势：
精确的晶体管表征：双脉冲测量技术通过提供参数电流源，动态考虑高功率负载牵引工作条件下的捕获效应，从而加快了 GaN 晶体管紧凑模型的提取速度。
数据完整性：基于 VNA 的负载牵引系统可确保小信号和大信号数据之间实现无缝对齐，这对于高效提取模型而言至关重要。
