英铂携MPI&是德助江苏GaN客户搭建功率器件静态载片系统返回列表

TS2000-HP高功率探针台

产品介绍：

MPI的TS2000-HP高功率探针台测试系统可提供8英寸及以下晶圆器件的高功率测量，先进的ShielDEnvironment™可提供低噪声和屏蔽的测试环境。

产品优势：

1、适合至高 10kV / 600A (脉冲)的晶圆级高功率组件量测

2、提供载片下的高功率动、静态参数的测试

3、晶圆载物台表面镀金，接触电阻面积小;真空吸孔优化，适合装载至薄 50 µm 的薄晶圆

4、可选配搭载 Taiko 晶圆载物台

5、提供抗电弧解决方案，支持探卡或探针式防打火设计应用

6、具备防打火可加热吹气附件，确保无温度损耗，支持20-200度气体加热

7、MPI ShielDEnvironment™ 屏蔽环境

8、专为 EMI / RFI / Light-Tight 屏蔽所设计的精密量测环境

9、支持fA级低漏电值量测

10、温度量测范围 -60 °C to 300 °C

产品应用：

适用于多种晶圆量测应用，如组件特性描述和建模，晶圆级可靠性 (WLR)、失效分析 (FA)、集成电路工程、微型机电系统 (MEMS) 和高功率 (HP)。

是德B1505A半导体参数分析仪

产品介绍：

B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪是用于评测 pA 以下到 10 kV/1500 A 功率器件的一体化解决方案。具有准确测量 10 µs 脉冲和 µΩ 导通电阻的能力。

产品优势：

1.在各种工作条件下都能执行准确的测量

-一体化解决方案可以表征高达 1500 A 和 10 kV 的功率器件

-可在高压偏置下进行中档电流测量（例如 1200 V 时为 500 mA）

-μΩ 导通电阻测量能力

-在高压偏置下进行准确的皮安级以下电流测量

--50 ℃ 至 +250 ℃ 全自动热测试

2.广泛的器件评测功能

-在高达 3000 V 直流偏置下进行全自动电容（Ciss、Coss、Crss 等）测量

-最短 10 μs 的大功率脉冲测量

-封装器件和晶圆上 IGBT/FET 栅极电荷测量

-用于表征 GaN 电流崩塌效应的高压/大电流快速开关选件

-多达五个高压（3 kV）源表通道，极大地提高灵活性

-通过配有互锁装置的测试夹具进行安全的温度相关测试

3.测量效率更高

-无需重新连接线缆即可在高压测量和大电流测量之间切换

-自动形成测试电路，用于测试封装器件和晶圆上器件的晶体管结电容（Ciss、Coss、Crss、Cgs、Cgd、Cds 等）

-标配配有互锁装置的测试夹具，用于安全地测试封装功率器件

-有支持和安全保障的晶圆上大功率测试，电流超过 200 A，电压高达 10 kV

-示波器视图使您可以验证所输入的电压和电流波形

-在 MS Windows 环境中运行的 EasyEXPERT 软件有助于改善数据管理和分析

4.可升级和可扩展的硬件体系结构

-多种测量模块可供选择

-支持多达 6 个引脚的大功率器件

产品应用：

是德B1505A功率器件分析仪是一款功能强大的测试仪器，适用于各种功率器件的测试和评价，能够满足电力电子、高温环境、高压大电流等多种应用场景的需求‌，例如：电力电子器件测试、电容和栅极电荷测量、高温测试等。