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TS2000-HP Probe System

MPI的8寸半自动化探针台测试系统TS2000-HP可在温度范围-60℃到+300℃内提供可靠的载片晶圆高功率测量,测量能力高达3kV(三轴)/10kV(同轴)和600A(脉冲)。先进的ShielDEnvironment™可提供低噪声和屏蔽的测试环境。

特点与优势

  • 安全

    采用可互锁的安全光幕,可通过互锁系统关闭仪器,保护用户免受意外高压冲击。

    该系统具有后门,并由互锁保护,以提供简便的初始测量设置。

     

     

     

     

     

  • ShielDEnvironment™

    MPI ShielDEnvironment™是一个高性能的微暗室屏蔽系统,可为超低噪声、低电容测量提供出色的EMI和不透光的屏蔽测试环境。

    为了防止卡盘和压盘之间产生电弧,TS2000-HP卡盘专门设计了ArcShield™。

     

     

     

     

  • 高压探针(HVP)

    低泄漏探头专门设计,可承受高达10kV(同轴)和3kV(三轴)的高压。可选择多种连接器选项,如Keysight Triax / UHV,Keithley Triax / UHV,SHV或Banana等。

     

     

     

     

     

  • 大电流探针(HCP)

    专为用于高达200A(脉冲)的大电流晶片测量而设计的高性能探针。

    MPI多指大电流探头采用单片结构,可有效处理大电流并提供低接触电阻。

     

     

     

     

     

     

  • 高功率测试系统

    该测试系统提供了一个一体化的解决方案,用于表征2极和3极功率器件,如场效应(FET)、双极结(BJTs)晶体管、二极管、电容器(高达3 kV和100 A)。

    只要插入一个DUT,就可以测量断开状态和接通状态的所有相关参数以及特性电容(Ciss、Coss Crss)。

    IV特性可以在脉冲模式下进行,也可以在直流模式下进行。这样可以提高效率并防止任何重新布线错误。

     

     

     

  • 超快动态RDS(on)

    GaN器件的表征系统

    超快速动态RDS(on)测试是被设计用来表征GaN晶体管的特性的。电力电子学的一个关键要求是在从高压离态切换到低压导通状态后立即获得非常低的导通电阻(RON)。超快动态RDS(on)测试能够在关闭和打开状态之间切换后立即测量RDS(on)。第一个RDS(on)值在大约1 us后生成。

     

    该系统是为高达100A(脉冲电流)或高达1kV电压而设计的。由于探头的特殊设计,可以测量更多参数(泄漏或者其他)。

     

     

  • 热/冷晶圆在设定温度下互换

    自动化的单晶片装载机和安全测试管理提供了独特的功能,可以在任何卡盘温度下装载/卸载晶片。装载或卸载晶片不再需要冷却或加热到环境温度。这样可以节省大量的停机时间,并显着提高MPI测试系统的整体效率,同时,方便的管理员登录过程可保护必要的设置。

     

     

     

     

     

  • 可选的防电弧液体托盘

    专门设计的防电弧液体托盘,只需放在大功率卡盘表面,即可用于抑制电弧。晶圆可以安全地放置在托盘内,浸没在液体中进行无电弧高压测试。

     

     

     

     

     

     

  • 软件套件SENTIO®

    MPI自动工程探针系统由独特且革命性的多点触摸操作控制SENTIO®软件套件,简单直观的操作节省了大量的培训时间。“滚动”,“缩放”,“移动”命令模仿了现代智能移动设备,使每个人都可以在短短几分钟内成为专家。在活动应用程序与其余APP之间的切换仅需简单的手指操作即可。

    对于RF应用系统,无需切换到另一个软件平台——MPI RF校准软件程序QAlibria®与SENTIO®完全集成在一起,遵循单一操作概念方法,易于使用。