RFSi®硅片：射频滤波器的高阻片

Okmetic 的 RFSi®高阻片是制造射频滤波器和设备的硅基衬底。其 RFSi®高阻片提高了射频设备的性能和使用成本，并可以实现更复杂的设计。

Okmetic 是射频滤波器市场上先进的硅基衬底供应商，多年来公司一直专注于射频滤波器硅晶圆的解决方案。Okmetic 已为射频滤波器市场交付了超过200万片硅晶圆，2021年相比2020年实现了交付量的翻翻。Okmetic 的 RFSi®高阻片是体声波（BAW）滤波器、薄膜声表面波（TF-SAW）滤波器、IPD 设备、功率放大器、RFIC 应用和硅中介层等的硅基衬底。这些滤波器和设备用于智能手机和通信设备，可实现 5G 和 4G 技术中更快的数据传输速度和更大的容量。

Okmetic 的 RFSi®高阻片产品组合提供了一系列特种硅片，将高达10000欧姆-厘米的体电阻率和先进的表面工程相结合。此类硅片的长晶方式是 A-MCz®（Okmetic 已注册该商标），其制备方法包括富陷阱层和先进的平面化技术。Okmetic 的 RFSi®高阻片拥有非常高且稳定的电阻率，可实现射频滤波器和设备的卓越性能、更低廉的使用成本以及更复杂的设备设计。

RFSi®高阻片产品组合

Okmetic 拥有丰富的RFSi®高阻片产品组合，由体电阻率高达10000欧姆-里面以上的特种硅片组成。我们的硅片产品可以根据产品和封装需求为您定制所需的电阻率、晶向、含氧量以及厚度等。Okmetic 为您提供从380到1150微米的各种硅片厚度。我们的射频滤波器客户发现轻薄的硅片易于封装设计；而在像氮化镓外延层这类混合金属晶格中，较厚的硅片能更好地消减极端应力。我们的销售和技术支持将很乐意为您服务，为您定制符合需求的解决方案。

Okmetic 的 RFSi®高阻片包含以下产品：

· 高电阻率硅片

· 富陷阱结构的工程高阻片

· 工程超高电阻片

· UF- FSi®硅片（即超平高阻片）

· 高阻 BSOI 硅片，包含 C-SOI®硅片

· 用于硅上氮化镓应用的射频氮化镓硅片

RFSi®硅片的优点

· 插入损耗小且可被记录；

· 高 Q 值；

· 二次谐波特性随工作温度变化呈线性变化；

· 使用超平高阻硅片（UF-RFSi®）的薄膜声表面波滤波器（TF-SAW）可拥有更多新颖的设计选择；

· 采用高阻片特性结合到腔体 SOI 硅片，实现悬空的低损耗结构。

A-MCz®晶体生长方式对比区熔法

· 区熔法制备的单晶硅电阻率很高，A-MCz®晶体生长方式相对更具成本优势，特别是制备200毫米的单晶硅棒；

· 晶向可使用 <111>；

· 优化了氧含量范围以增加客户工艺中的硅片强度，不易滑落或破损；

· 通过构建富陷阱层，Okmetic 的工程 A-MCz®硅片能够更好地满足客户的特定工艺/产品。

  

RFSi®硅片：射频滤波器的高阻片

RFSi®硅片：射频滤波器的高阻片

常规 RFSi®硅片的规格：

晶体生长方式	MCz, A-MCz®
硅片直径	150 mm, 200 mm
晶向	<100>, <111>
N 型掺杂剂	磷
P 型掺杂剂	硼
电阻率	高达 >10000 欧姆-厘米
氧含量	一般 ≤ 5ppma 或 ≤10ppma（ASTM F121-83），可根据客户工艺进行优化
SSP（背面蚀刻）硅片厚度	150毫米硅片：400至1150微米；200毫米硅片：550微米到 >1150微米* *某些条件下可实现其他厚度
DSP（抛光背面）硅片厚度	150毫米硅片：380至 >1150微米；200毫米硅片：380微米到 >1150微米* *某些条件下可实现其他厚度

 

RFSi®硅片：射频滤波器的高阻片

RFSi®硅片：射频滤波器的高阻片