SOI 硅片：绝缘体上硅技术

Okmetic 是较早将绝缘体上硅技术和 SOI 硅片引入 MEMS 行业的硅片供应商之一，目前公司已经量产 SOI 硅片超过20年。SOI 硅片是在绝缘氧化物上有一层薄硅膜的硅片，其生产需要非常高水准的专业技术。SOI 硅片有益于制造MEMS、传感器、功率和射频设备。这些设备器件被用于汽车和医疗保健应用、智能腕带、智能手机和平板电脑等终端。同时，利用传感器提供的数据，器件也能够被用于物联网相关的应用设备，实现设备间的通信。

Okmetic 的 SOI 硅片是通过键合技术制造的——将两片硅片键合在一起并在其间留下绝缘氧化层。传感元件和 IC 器件通常构建在顶层器件层上。中间的埋氧层是极好的电绝缘层，也是有效的刻蚀停止层，同时也可以作为牺牲层。底层起支撑作用，但也可以用于密封结构或作为传感元件或设备的一部分。

SOI 硅片全系列

Okmetic 拥有 SOI 硅片制造的自主可控能力，将自主研发成果运用到企业生产中，有能力把控每个关键的硅片参数，确保 SOI 硅片的较高品质。我们拥有市场上完整的硅片产品组合，支持客户的各种选择，譬如较佳的导电性和不同的晶体转向可以确保更好地利用硅的各向异性特性。我们的销售和技术支持很乐意帮助您找到适合您设备和工艺需求的完美硅基解决方案。

Okmetic 的 SOI 硅片产线包含以下产品：

· BSOI 硅片：键合 SOI 硅片（包含不同的 BSOI 硅片类别，譬如 0.3 SOI、DSOI、LSOI 和厚 SOI）

· C-SOI®硅片：埋层腔体型 SOI 硅片（包含不同的 C-SOI®硅片类别，譬如 EC-SOI、双层 C-SOI®、带图案化器件层的 C-SOI®、带多通孔的 C-SOI®）

· E-SOI®硅片：具有严格厚度均匀性的增强型 SOI

· 无台阶型 BSOI 和 E-SOI®硅片

· 高阻 BSOI 硅片是我们 RFSi®硅片系列的其中一种

SOI 硅片：绝缘体上硅技术

SOI 硅片：绝缘体上硅技术

常规 SOI 硅片的规格

晶体生长方式	Cz, MCz, A-MCz®
硅片直径	150 mm, 200 mm
晶向	<100>, <110>,<111>
N型掺杂剂	磷
P型掺杂剂	硼
电阻率	从 <0.001到 >7000 欧姆-厘米
器件层厚度	1 微米 到 > 200微米 公差 ±0.5微米（标准 BSOI）、±0.3微米（0.3 SOI）、±0.1微米（E-SOI®）、±0.5微米或更低（C-SOI®）
埋氧层厚度	0.3微米到4微米，通常在0.5微米到2微米之间 类型：热氧化物
底层硅片厚度	300微米到950微米，200毫米硅片的底层硅片厚度通常为725微米，150毫米硅片的底层硅片厚度通常为380微米
背面	抛光或刻蚀
台阶区域	标准或无台阶型（适用于200毫米的 BSOI 和 E-SOI®硅片）

 

SOI 硅片：绝缘体上硅技术

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