MEMS器件的动态特性测试和机械响应可视化对于产品开发、故障排除和有限元模型验证来说非常重要。Polytec公司的MSA显微式激光测振仪能快速、准确地测试显微结构的面外振动(OOP)和面内振动(IP)。全新的MSA-650 IRIS显微式激光测振仪甚至可以透过完整的微型硅密封器件进行测试，如惯性传感器，MEMS麦克风，压力传感器等。

更好地分离器件的各个层

MSA-650 IRIS测试系统包括控制器、带有额外参考通道的信号发生器，超高精度红外光源的光学头和强大的配套软件包。其专用的红外相机和低相干SLD源，是在其透过硅帽获取完整硅封装结构在工作条件下的整个层制结构的动态特性的关键。

硅封装MEMS器件的模态测试

由于硅在波长为1050nm以上的近红外光谱中是透明的，基于红外干涉仪的振动测量技术使得获取密封MEMS器件真实和有代表性的振动特性成为可能。

Polytec全新的MSA系统能确保数据质量，更好的分离MEMS器件的各个层。MSA-650 IRIS显微式激光测振仪内置专用红外相机和低相干SLD源，是能透过硅封装结构获取完整动态特性的系统，其实时面外振动带宽高达25MHz，面内振动分辨率低至30nm。

为了利用激光多普勒振动测量(LDV)对封装MEMS器件进行深入研究，需要了解硅的光学特性。虽然硅对可见光是不透明的，但它在从波长1050nm起的近红外范围内则显示出良好的透射性。然而也有极限性，在波长为1550 nm时硅的折射率高达3.4，这导致在器件边界处有相当大的菲涅耳反射。

Poyltec采用低相干光来提高精度，与激光相反，超辐射二极管发出的低相干光只有在干涉仪中的光路与光源的相干长度相等时才会产生干涉，从而将焦点处以外的光排除在外。这一原理被用于白光干涉仪或光学相干层析术，现在首次用于激光多普勒测振仪(LDV)。对MEMS器件进行扫描测试时，带宽高达25 MHz，振幅分辨率达100 fm/ Hz。