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霍尔效应测试系统HEMS

适用范围: GaAS based materials (HEMSTs,pHEMTs,HBTs,FETs,MESFETs), lnP, InAs, GaN and AIN, Si, Ge, SiC, HgCdTd, ZnO, SiGe, MnGaAS, ZnO, 红外应用(LED, laser diodes, detectors), 金属氧化物, 有机材料, 无机材料, 铁氧体等。

特点与优势

  • 主要技术指标

     

    测量包括:

    •   迁移率测试

    •   DC HEMS: 10^6cm2/Vs to 10cm2/Vs

    •   AC HEMS: 10cm2/Vs to 0.1cm2/Vs

    •   载流子浓度测试

    •   电阻率测试

    •   电阻测量

    •   低电阻范围 1uohm to 1Mohm

    •   宽电阻范围 1uohm to 100Gohm

    •   高电阻范围 1ohm to 100Gohm

    •   范德堡法测试范围

    •   霍尔巴法测试

     

    磁极帽:

    •   可更换极帽

    •   标准25mm

    •   在0-130mm间距连续可调

    •   更大极帽直径可选,50mm,75mm

     

    电磁铁:

    •   ±2.5T@100mmgapwith25mmpoleface

    •   ±35V, ±70A电源

    •   磁场>±IT@25mmpolegap

    •   线圈电阻: 0.5 Ω (20°C)

    •   水冷

  •  

     

     

    温度选项:

    •   低温 3K-300K

    •   高温300K-1273K

     

    纳米磁学高斯计:

    •   磁场扫描采用集成高斯计

    •   磁场校准采用霍尔探头

    •   高灵敏度的磁场测量

    •   所有参数可通过软件控制

     

     

    样品架:

    •   4,6 or8范德堡或霍尔巴测试设计

    •   易于样品安装与弹簧连接

    •   5mmx5mm样品大小(提供更大选件)

    •   多个样品安装

     

     

    控制器和软件:

    •   使用我们软件可逐层的进行迁移率分析

    •   基于C# 的全自动软件分析

    •   非常宽的温度测试范围,3-1,300K

    •   采用高斯计进行磁场的控制

    •   非常容易的进行范德堡霍尔巴方法样品测试

    •   提供软件终生升级

     
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