解决方案

半导体分立器件IV、CV特性测试方案

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概述

      半导体分立器件是组成集成电路的基础,包含大量的双端口或三端口器件,如二极管,晶体管,场效应管等。直流I-V测试是表征微电子器件工艺及材料特性的基础,通常使用I-V特性分析或I-V曲线来决定器件的基本参数。

      分立器件I-V特性测试的主要目的是通过实验帮助工程师提取半导体器件的基本I-V特性参数,并在整个工艺流程结束后评估器件的优劣。在半导体制程的多个阶段都有应用,如金属互连,镀层阶段,芯片封装后的测试等。

      英铂科学仪器的半导体分立器件I-V特性测试方案,由一台或两台源精密源测量单元(SMU)、夹具或探针台、上位机软件构成。以三端口MOSFET器件为例,配套以下设备:

•两台Keithley 2450 精密源测量单元

•四根三同轴电缆

•夹具或带有三同轴接口的探针台

•三同轴T型头

方案特点

丰富的内置元器件库,可以根据测试要求选择所需要的待测件类型测试和计算过程由软件自动执行,能够显示数据和曲线, 节省了大量的时间精准稳定的探针台,针座分辨率可高达0.7um,显微镜放大倍数最高可达x195倍最高支持同时操作两台吉时利源表,可以完成三端口器件测试。

测试材料

二极管特性的测量与分析

双极型晶体管BJT特性的测量与分析

MOSFET场效应晶体管特性的测量与分析

MOS 器件的参数提取